型号: BSS159N L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: SIPMOS®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 耗尽模式
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 230mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 3.5 欧姆 @ 160mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 2.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 44pF @ 25V
功率 - 最大值: 360mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23-3
其它名称: BSS159NL6327HTSA1SP000247297
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