型号:  BSS209PWH6327XTSA1

功能描述:  MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-323-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  630 mA

Rds On-漏源导通电阻:  550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  - 1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

系列:  BSS209

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  870 mS

下降时间:  4.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  6 ns

典型接通延迟时间:  2.6 ns

零件号别名:  BSS209PW BSS29PWH6327XT H6327 SP000750498

单位重量:  5 mg