型号:  BSS225H6327FTSA1

功能描述:  MOSFET N-Ch 600V 90mA SOT-89-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-89-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  90 mA

Rds On-漏源导通电阻:  28 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  5.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  4.5 mm

系列:  BSS225

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2.5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  50 mS

下降时间:  41 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  38 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  62 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

零件号别名:  BSS225 H6327 SP001047644

单位重量:  130.500 mg