型号: BSS308PEH6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 2V @ 11uA
漏源导通电阻: 80mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW
类型: P沟道
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：邝小姐，李先生
电话：13798215024
Q Q:
联系人：康R
电话：13530003715
Q Q:
联系人：孔先生
Q Q:
