型号: BSS308PEH6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 11uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 2V @ 11uA
漏源导通电阻: 80mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW
类型: P沟道
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