BSS83PE6327规格参数_BSS83PE6327全国代理商/分销商

型号: BSS83PE6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 330mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 78pF @ 25V
功率 - 最大值： 360mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： PG-SOT23-3
其它名称： BSS83PE6327INTRBSS83PE6327XTBSS83PE6327XTINTRBSS83PE6327XTINTR-NDSP000012075