型号:  BSS84.215

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  50V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  130mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  10 Ohm @ 130mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  45pF @ 25V

功率 - 最大：  250mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  50 V

最大连续漏极电流：  0.13 A

RDS -于：  10000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  250

最大漏源电压：  50

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  10000@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  0.13

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  130mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2V @ 1mA

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  10 Ohm @ 130mA, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  250mW

漏极至源极电压（Vdss）：  50V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  45pF @ 25V

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-1660-1

类别：  Small Signal

配置：  Single

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大漏源电阻：  10 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.25 W

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  TO-236AB

典型输入电容@ VDS：  25 pF V @ 25

宽度：  1.4mm

连续漏极电流：  0.13 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  0.25 W

漏源导通电阻：  10 ohm

工作温度范围：  -65C to 150C

极性：  P

类型：  Small Signal

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  50 V

弧度硬化：  No

晶体管极性：  :P Channel

Continuous Drain Current Id：  :-130mA

Drain Source Voltage Vds：  :-50V

On Resistance Rds(on)：  :6ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :-10V

Threshold Voltage Vgs：  :-2V

功耗：  :250mW

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23