型号: BSS8402DW_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tj),130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：60V,50V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,2V @ 1mA 漏源导通电阻：7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：N沟道和P沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V,50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 115mA(Tj),130mA(Tj)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA,2V @ 1mA
漏源导通电阻: 7Ω @ 500mA,10V;10Ω @ 100mA,5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 200mW(Tj)
类型: N沟道和P沟道
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