型号:  BSS8402DW-7-F

功能描述:  MOSFET 60 / -50V 200mW

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V, 50 V

Id-连续漏极电流:  115 mA, 130 mA

Rds On-漏源导通电阻:  7.5 Ohms, 10 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  200 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  2.2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  BSS84

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  Enhancement Mode Field Effect Transistor

宽度:  1.35 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  0.08 S, 0.05 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns, 18 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 10 ns

单位重量:  6 mg