型号: BSS8402DW-7
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V，50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 115mA，130mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 50pF @ 25V
功率 - 最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： SOT-363
其它名称： BSS8402DWDITR
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