型号: BSS84_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW(Tj) 类型：P沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 130mA(Tj)
栅源极阈值电压: 2V @ 1mA
漏源导通电阻: 10Ω @ 100mA,5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 200mW(Tj)
类型: P沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王先生
电话：17326134464
Q Q:
联系人：刘女士
电话：15330234239
Q Q:
联系人：刘钰泉
电话：15675495666
Q Q:
