型号:  BST51.115

功能描述:   Trans Darlington NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

晶体管类型：  NPN - Darlington

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  1.3V @ 500µA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大）：  50nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  2000 @ 500mA, 10V

功率 - 最大：  1.3W

频率转换：  200MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-243AA

供应商器件封装：  SOT-89-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-89

配置：  Single Dual Collector

类型：  NPN

最大集电极发射极电压：  60 V

峰值直流集电极电流：  1 A

最小直流电流增益：  1000@150mA@10V|2000@500mA@10V

最大集电极发射极饱和电压：  1.3@0.5mA@500mA V

最大集电极基极电压：  80 V

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大的基射极饱和电压：  1.9@0.5mA@500mA

标准包装名称：  SOT-89

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最大集电极发射极电压：  60

最大基地发射极电压：  5

封装：  Tape and Reel

Maximum Continuous DC Collector Current ：  1

最大集电极发射极饱和电压：  1.3@0.5mA@500mA

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  80

供应商封装形式：  SOT-89

最低工作温度：  -65

铅形状：  Flat

引脚数：  4

最大功率耗散：  1300

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  NPN - Darlington

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  200MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  1.3V @ 500µA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大）：  50nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  60V

供应商设备封装：  SOT-89-3

功率 - 最大：  1.3W

封装/外壳：  TO-243AA

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  2000 @ 500mA, 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6828-1

工厂包装数量：  1000

产品种类：  Transistors Darlington

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

集电极最大直流电流：  1 A

最大集电极截止电流：  0.05 uA

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  60 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  80 V

最低工作温度：  - 65 C

零件号别名：  BST51 T/R