型号: BSZ023N04LSATMA1
功能描述: MOSFET MV POWER MOS
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 40 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 40 A
导通电阻： 2.4 mOhms
配置： Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-TSDSON-8 FL
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 8 ns
正向跨导 - 最小值： 55 S
栅极电荷 Qg： 37 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 69 W
上升时间： 38 ns
系列： BSZ023N04
工厂包装数量： 5000
商标名： OptiMOS
典型关闭延迟时间： 42 ns
零件号别名： SP000953208
ROHS： 无铅
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