型号: BSZ086P03NS3G
功能描述: MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 13.5 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 8.6 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 46 ns
系列: OptiMOS P3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：黄锴鹏
电话：13613013337
Q Q:
联系人：唐波
电话：13826198248
Q Q:
联系人：黄思维
电话：15915374071
Q Q:
