型号: BSZ16DN25NS3G
功能描述: MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 10.9 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 146 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 14 S, 7 S
最小工作温度: - 55 C
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
零件号别名: BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800
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