型号: BUK6510-75C,127
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 81nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5251pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 158W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 10.4 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：侯伟
电话：84198120
Q Q:
联系人：耿彪
电话：010-83276320
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
