型号:  BUK662R7-55C,118

功能描述:  BUK662R7 Series 55 V 2.7mOhm N-Channel TrenchMos Intermediate Level FET TO-263-3

制造商:  Nexperia

系列：  汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  120A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.8V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  258nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  15300pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±16V

功率耗散（最大值）：  306W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2.7 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  55V

连续漏极电流ID：  120A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs