型号: BUK7E2R7-30B
功能描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 241 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.0027 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Rail
下降时间: 118 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 107 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 113 ns
零件号别名: BUK7E2R7-30B,127
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:Alien
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:曹治国
电话:15915353327
联系人:赵友涛
电话:18915486513
联系人:陈先生
联系人:苏月
电话:13312973693