型号: BUK7E2R7-30B
功能描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 241 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0027 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Rail
下降时间: 118 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 107 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 113 ns
零件号别名: BUK7E2R7-30B,127
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