型号: BUK9E1R6-30E
功能描述: MOSFET, N-CH, 30V, 120A, I2PAK
制造商: NXP
晶体管极性： :N Channel
Continuous Drain Current Id： :120A
Drain Source Voltage Vds： :30V
On Resistance Rds(on)： :1400µohm
Rds(on) Test Voltage Vgs： :5V
Threshold Voltage Vgs： :1.7V
功耗： :349W
Operating Temperature Min： :-55°C
Operating Temperature Max： :175°C
Transistor Case Style： :TO-262
No. of Pins： :3
MSL： :MSL 1 - Unlimited
SVHC： :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围： :-55°C to +175°C
Weight (kg)： 0.001575
Tariff No.： 85412900
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