型号: BUK9Y22-30B,115
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 37.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 10.5nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 5V
Vgs（最大值）： ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 940pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 59.4W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 19 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳： SC-100，SOT-669
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李小姐
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
联系人：李R，龙R
Q Q:
