型号:  BUK9Y25-80E,115

功能描述:  

制造商:  Nexperia

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  37A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  17.1nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2703pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  95W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  27 毫欧 @ 10A，5V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：  SC-100，SOT-669

Id-连续漏极电流：  37A

Pd-功率耗散：  95W

Qg-栅极电荷：  17.1nC

Rds On-漏源导通电阻：  22.2mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  80V

Vgs - 栅极-源极电压：  15V

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.7V

上升时间：  17.2ns

下降时间：  15.3ns

典型关闭延迟时间：  23.9ns

典型接通延迟时间：  11.6ns

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  LFPAK56-5

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  1N-Channel

最大工作温度：  +175C

最小工作温度：  -55C

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs