型号:  BUL1102E

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  450 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  12 V

最大直流电集电极电流:  4 A

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BUL1102E

高度:  15.75 mm

长度:  10.4 mm

封装:  Tube

宽度:  4.6 mm

商标:  STMicroelectronics

集电极连续电流:  4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V

Pd-功率耗散:  70 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  6 g