型号: BUZ31 H
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 200 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1120pF @ 25V
功率 - 最大值： 95W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： PG-TO220-3
其它名称： BUZ31HBUZ31HXKSA1SP000682992
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：孙家林
电话：15010158565
Q Q:
联系人：曾生
电话：18719069025
Q Q:
联系人：汤先生，杨小姐
电话：13713892033
Q Q:
