型号: BUZ31 H
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 200 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1120pF @ 25V
功率 - 最大值： 95W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： PG-TO220-3
其它名称： BUZ31HBUZ31HXKSA1SP000682992
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