型号: BUZ900D
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 160 ns
典型输入电容值@Vds: 950 pF V @ 10
安装类型: 通孔
宽度: 8.7mm
封装类型: TO-3
尺寸: 39 x 8.7 x 25mm
引脚数目: 2
最大功率耗散: 250 W
最大栅源电压: ±14 V
最大漏源电压: 160 V
最大连续漏极电流: 16 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 39mm
高度: 25mm
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