型号: BUZ901DP
功能描述: Magnatec Si N沟道 MOSFET BUZ901DP, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
制造商: Magnatec
通道类型： N
最大连续漏极电流： 16 A
最大漏源电压： 200 V
最大栅阈值电压： 1.5V
最大栅源电压： -14 V、+14 V
封装类型： TO-3
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 250 W
宽度： 25mm
典型接通延迟时间： 100 ns
典型关断延迟时间： 50 ns
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
长度： 39mm
高度： 8.7mm
尺寸： 39 x 25 x 8.7mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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