型号: BUZ905DP
功能描述: Magnatec Si P沟道 MOSFET BUZ905DP, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3PBL封装
制造商: Magnatec
通道类型： P
最大连续漏极电流： 16 A
最大漏源电压： 160 V
最大栅阈值电压： 1.5V
最大栅源电压： -14 V、+14 V
封装类型： TO-3PBL
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 250 W
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
长度： 20mm
尺寸： 20 x 5 x 26mm
高度： 26mm
典型关断延迟时间： 110 ns
典型接通延迟时间： 150 ns
宽度： 5mm
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs： 否
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