型号:  C3M0120090J

功能描述:  MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm

制造商:  Wolfspeed / Cree

制造商:  Cree, Inc.

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-7

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  900 V

Id-连续漏极电流:  22 A

Rds On-漏源导通电阻:  170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:  18 V, - 8 V

Qg-栅极电荷:  17.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  83 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

产品:  Power MOSFET

类型:  Silicon Carbide MOSFET

商标:  Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:  6.7 S

下降时间:  5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  15 ns

典型接通延迟时间:  12.5 ns

单位重量:  1.600 g