型号:  CDM22010-650 SL

功能描述:  MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  880 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  20 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  156 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  CDM

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Central Semiconductor

下降时间:  36 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  33 ns

工厂包装数量:  750

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  57 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  6 g