型号: CED6426
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 66mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 32W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈国培
电话：13421306906
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13392858908
Q Q:
联系人：马子雄
电话：135-28767325
Q Q:
