型号: CEF08N6A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7.5A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.25Ω @ 3.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 48W(Tc)
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：曾小明
电话：13302962018
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：15008931909
Q Q:
联系人：蔡
电话：19926677502
Q Q:
