型号: CGHV1J070D-GP4
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
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RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 17 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 6 A
输出功率: 70 W
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Gel Pack
配置: Single
工作频率: 10 MHz to 18 GHz
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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