型号: CGHV40180F
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 20.3 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 18 A
输出功率: 180 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: 440223
封装: Tray
工作频率: DC to 1000 MHz
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
开发套件: CGHV40180F-TB1
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3.8 V
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