型号:  CGHV50200F

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

制造商:  Wolfspeed / Cree

制造商:  Cree, Inc.

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：  Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN

增益:  11.5 dB

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :  - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:  17 A

输出功率:  180 W

最大漏极/栅极电压:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  -

安装风格:  Screw Mount

封装 / 箱体:  4402015

封装:  Tray

工作频率:  4.4 GHz to 5 GHz

工作温度范围:  - 40 C to + 150 C

商标:  Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:  -

开发套件:  CGHV50200F-AMP

产品类型:  RF JFET Transistors

工厂包装数量:  40

子类别:  Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 3.4 V