型号: CJ3139KDW
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：双P沟道
制造商: CJ（江苏长电/长晶）
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 660mA
栅源极阈值电压: 1.1V @ 250uA
漏源导通电阻: 520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: 双P沟道
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
