型号: CMLDM3737 TR
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 540mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1.58nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 150pF @ 16V
功率 - 最大值： 350mW
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-563
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
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联系人：李先生
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联系人：陈
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