型号: CMLDM8120 TR
功能描述: MOSFET 20V P-Ch FET 8.0Vgs 860mA 360mA 350mW
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 860 mA
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 3.56 nC
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CMLDM8120
商标: Central Semiconductor
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
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