型号: CRZ36(TE85L,Q,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 36V
偏差: ±10%
阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 10µA @ 28.8V
电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 28.8V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf: 1V
电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If: 200mA
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: S-FLAT(1.6x3.5)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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