型号: CS12N06AE-G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A
栅源极阈值电压: 1.9V @ 250uA
漏源导通电阻: 13.5mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.2W
类型: N沟道
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