型号:  CSD13202Q2

功能描述:  MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WSON-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  14.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  9.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  580 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  5.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.7 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  2 mm

系列:  CSD13202Q2

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  44 S

下降时间:  13.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  28 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns

单位重量:  6 mg