型号:  CSD16323Q3C

功能描述:  Texas Instruments/分立半导体产品

制造商:  Texas Instruments

产品培训模块：  NexFET MOSFET Technology

视频文件：  PowerStack? Packaging Technology Overview

设计资源：  Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer

制造商产品页：  CSD16323Q3C Specifications

标准包装：  2,500

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  NexFET??

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  21A（Ta），60A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  4.5 毫欧 @ 24A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  8.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1300pF @ 12.5V

功率 - 最大值：  3W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-TDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：  8-SON 裸露焊盘（3x3）

其它名称：  296-28096-2