型号:  CSD17309Q3

功能描述:  MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSON-CLIP-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  7.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  3.3 mm

系列:  CSD17309Q3

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Power MOSFET

宽度:  3.3 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  67 S

开发套件:  DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM

下降时间:  3.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9.9 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13.2 ns

典型接通延迟时间:  6.1 ns

单位重量:  44.500 mg