型号:  CSD19538Q2T

功能描述:  MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WSON-FET-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  14.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  59 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  4.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  2 mm

系列:  CSD19538Q2

宽度:  2 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7 ns

典型接通延迟时间:  5 ns

单位重量:  6 mg