型号: CSD23203WT
功能描述: MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
制造商: Texas Instruments
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-6
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
Qg-栅极电荷: 4.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.625 mm
长度: 1.5 mm
系列: CSD23203W
宽度: 1 mm
商标: Texas Instruments
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 1.700 mg
联系人：欧阳小姐，elen
电话：18664962775
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：尹先生
电话：13556809913
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18922814805
Q Q:
联系人：Lisa
Q Q:
