型号: CSD25401Q3
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14A（Ta），60A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 11.7 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 12.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1400pF @ 10V
功率 - 最大值： 2.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-SON
其它名称： 296-24260-2
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
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联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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联系人：郑小姐
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联系人：朱先生
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联系人：严华
电话：18936145182
Q Q:
联系人：朱筱筱
电话：15013881543
Q Q:
