型号: CSD75205W1015
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.2A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 120 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 265pF @ 10V
功率 - 最大值： 750mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装： 6-DSBGA（1x1.5）
其它名称： 296-25335-2
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