型号:  CSD86330Q3D

功能描述:  MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  LSON-CLIP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  4.5 A

Vgs th-栅源极阈值电压:  900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  4.8 nC, 9.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  6 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  3.3 mm

系列:  CSD86330Q3D

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  52 S, 82 S

开发套件:  CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679

下降时间:  1.9 ns, 4.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.5 ns, 6.3 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.5 ns, 15.8 ns

典型接通延迟时间:  4.9 ns, 5.3 ns

单位重量:  64 mg