型号:  CSD87355Q5DT

功能描述:  MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  LSON-CLIP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  45 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  13.7 nC, 31.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  12 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  6 mm

系列:  CSD87355Q5D

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  90 S , 151 S

下降时间:  3 ns, 6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  18 ns, 14 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns, 27 ns

典型接通延迟时间:  8 ns, 10 ns