型号:  CSD88539ND

功能描述:  MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  15 A

Rds On-漏源导通电阻:  28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  7.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.1 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  CSD88539ND

晶体管类型:  2 N-Channel Power MOSFET

宽度:  3.9 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  9 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  5 ns

单位重量:  540 mg