型号: CTLDM8120-M621H TR
功能描述: MOSFET P-CH 20V DFN6
制造商: Central Semiconductor Corp
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 950mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 3.56nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 200pF @ 16V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TLM621H
封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘
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