型号:  CXDM1002N TR

功能描述:  MOSFET 100Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 2.0A 1.2W 2kV

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-89

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.7 mm

长度:  4.7 mm

系列:  CWDM

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2.7 mm

商标:  Central Semiconductor

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  50 ns

典型接通延迟时间:  32 ns

零件号别名:  CXDM1002N PBFREE TR

单位重量:  130.500 mg