型号: CY14B104L-BA20XI
功能描述:
制造商: Cypress Semiconductor
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 4Mb （512K x 8）
写周期时间 - 字，页： 20ns
访问时间： 20ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 48-TFBGA
供应商器件封装： 48-FBGA（6x10）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郭R
电话：2366341868
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13723777754
Q Q:
联系人：李先生
电话：13602549709
Q Q:
